تصوير: هڪ IVWorks انجنيئر پيداوار جي پيماني تي هائبرڊ MBE سسٽم ۾ تعیناتي لاءِ پلازما ذريعو کي ڪيليبريٽ ڪري ٿو، جيڪو اعلي يونفارمٽي ۽ اعلي معيار جي GaN ايپيٽيڪسيل واڌ جي حمايت ڪري ٿو.
ڏکڻ ڪوريا جي ڊائيجيون جي IVWorks ڪمپني لميٽيڊ جي ملڪيت واري reGaN سليڪٽيو ريگروٿ ٽيڪنالاجي کي شامل ڪندڙ هڪ گيليم نائٽرائڊ (GaN) هاءِ اليڪٽران-موبلٽي ٽرانزسٽر (HEMT) دنيا جو پهريون GaN ٽرانزسٽر بڻجي ويو آهي جنهن وڌ ۾ وڌ اوسيليشن فريڪوئنسي (f) حاصل ڪئي.وڌ ۾ وڌ) 700GHz کان وڌيڪ. اهو ڪيونگ پوڪ نيشنل يونيورسٽي جي اسڪول آف اليڪٽرانڪس انجنيئرنگ ۾ پروفيسر ڊائي-هيون ڪِم جي ريسرچ ٽيم پاران تيار ڪيل 45nm GaN HEMT ڊيوائس ذريعي ڏيکاريو ويو ۽ 18 جون تي آمريڪا جي هوائي شهر جي هونولولو ۾ VLSI ٽيڪنالاجي ۽ سرڪٽس تي 2026 IEEE/JSAP سمپوزيم ۾ ان جي نقاب کشائي ڪئي وئي.
ريسرچ ٽيم 45nm گيٽ جي ڊيگهه سان هڪ GaN ٽرانزسٽر ٺاهيو ۽ هڪ رڪارڊ f حاصل ڪيو.وڌ ۾ وڌ742GHz جو، GaN ٽرانزسٽر ٽيڪنالاجي ۾ RF ڪارڪردگي لاءِ هڪ نئون معيار قائم ڪيو. ڊوائيس 497GHz جو رڪارڊ سراسري فريڪوئنسي ميٽرڪ (favg) پڻ حاصل ڪيو، جيڪو ڪنهن به GaN ٽرانزسٽر ٽيڪنالاجي لاءِ اڄ تائين رپورٽ ڪيل سڀ کان وڌيڪ قدر آهي. IVWorks چوي ٿو ته اهي نتيجا ظاهر ڪن ٿا ته GaN سيمي ڪنڊڪٽرز الٽرا هاءِ فريڪوئنسي راڄ ۾ به ڪافي ڪارڪردگي جي مقابلي جا مالڪ آهن ۽ مستقبل جي سب ٽيرا هرٽز ۽ ٽيرا هرٽز اليڪٽرانڪ سسٽم لاءِ هڪ قابل عمل پليٽ فارم طور ڪم ڪري سگهن ٿا.
جڏهن ته انڊيم فاسفائيڊ (InP) تي ٻڌل ٽرانزسٽر پنهنجي غير معمولي اليڪٽران ٽرانسپورٽ خاصيتن جي ڪري ذيلي ٽيرا هرٽز فريڪوئنسي نظام تي ڊگهي عرصي کان غلبو حاصل ڪري رهيا آهن، انهن جي نسبتاً گهٽ بريڪ ڊائون وولٽيج آئوٽ پُٽ پاور ۽ سسٽم اسڪيليبلٽي کي محدود ڪري ٿي. ان جي ابتڙ، GaN اعليٰ بريڪ ڊائون برقي ميدان، اعليٰ طاقت جي کثافت، ۽ بهترين حرارتي مضبوطي جو هڪ منفرد ميلاپ پيش ڪري ٿو، جيڪو انهن کي ايندڙ نسل جي اعليٰ تعدد ۽ اعليٰ طاقت جي ايپليڪيشنن لاءِ پرڪشش اميدوار بڻائي ٿو. بهرحال، GaN سان الٽرا هاءِ فريڪوئنسي ڪارڪردگي حاصل ڪرڻ هڪ اهم چئلينج رهيو آهي. انهن حدن کي دور ڪرڻ لاءِ، ريسرچ ٽيم هڪ جديد 45nm گيٽ پروسيس ۽ بهتر ڪيل ڊوائيس آرڪيٽيڪچر کي استعمال ڪيو ته جيئن اعليٰ تعدد ڪارڪردگي کي وڌ کان وڌ ڪري سگهجي.
هڪ اهم فعال ڪندڙ IVWorks جي ملڪيت واري reGaN چونڊيل ريگروٿ ٽيڪنالاجي هئي. خاص طور تي IVWorks پاران تيار ڪيل، reGaN چونڊيل طور تي ذريعو ۽ نيڪال وارن علائقن ۾ وڏي پيماني تي ڊوپ ٿيل اين-قسم جي GaN کي ٻيهر وڌائي ٿو، رابطي جي مزاحمت کي خاص طور تي گهٽائي ٿو. هن مطالعي ۾ هڪ گڏيل تحقيقي پارٽنر جي حيثيت سان، IVWorks اهو ظاهر ڪيو جيڪو دعوي ڪيو ويو آهي ته سڄي 4 انچ ويفر ۾ بهترين عمل جي هڪجهڙائي آهي ۽ شاندار پيداوار حاصل ڪئي. ان کان علاوه، فرم ريگروٿ انٽرفيس مزاحمت کي گهٽائي ڇڏيو (Rانٽ) 0.027Ω-mm تائين، لاڳاپيل ڪيريئر ڪنسنٽريشن تي حاصل ٿيندڙ نظرياتي حد جي ويجهو.
"هي تحقيق GaN HEMTs جي RF ڪارڪردگي جي حدن کي هڪ نئين سطح تي ڌڪي ٿي ۽ 700GHz کان وڌيڪ رفتار سان GaN HEMT جي دنيا جي پهرين مظاهري ذريعي الٽرا هاءِ فريڪوئنسي ايپليڪيشنن لاءِ GaN سيمي ڪنڊڪٽرز جي صلاحيت کي ظاهر ڪري ٿي،" پروفيسر ڊائي-هيون ڪِم چوي ٿو. "هي مطالعو خاص طور تي صنعت-اڪيڊميا تعاون جي هڪ ڪامياب مثال جي طور تي معنيٰ خيز آهي، جيڪو يونيورسٽي جي ڊوائيس ۽ سرڪٽ ريسرچ جي ماهر سان صنعت مان ترقي يافته ايپيٽيڪسيل واڌ ۽ ري گروٿ ٽيڪنالاجي کي گڏ ڪري ٿو،" هو وڌيڪ چوي ٿو.
"هن ڪاميابي جي بنياد تي، اسان 6G ڪميونيڪيشن ۽ جديد دفاعي ٽيڪنالاجيز لاءِ ٽيراهرٽز فريڪوئنسي ايپليڪيشنن کي نشانو بڻائيندڙ ايندڙ نسل جي GaN اليڪٽرانڪ ڊوائيسز جي ترقي کي وڌيڪ تيز ڪرڻ جو ارادو رکون ٿا."
IVWorks جو چوڻ آهي ته هي ڪاميابي GaN ٽيڪنالاجي جي وڌندڙ صلاحيت کي وڌيڪ اجاگر ڪري ٿي ته جيئن روايتي آر ايف ۽ پاور اليڪٽرانڪس کان اڳتي وڌي ابھرندڙ ذيلي ٽيرا هرٽز ۽ ٽيرا هرٽز ايپليڪيشنن ۾ اضافو ٿي سگهي، جنهن ۾ 6G ڪميونيڪيشن، جديد ريڊار سسٽم، سيٽلائيٽ ڪميونيڪيشن، ۽ ايندڙ نسل جي دفاعي اليڪٽرانڪس شامل آهن.
"reGaN هڪ بنيادي ٽيڪنالاجي آهي جيڪا اڳ ۾ ئي هڪ وڏي فاؤنڊيري ۾ معيار جي قابليت پاس ڪري چڪي آهي ۽ ان کي حجم جي پيداوار لاءِ اختيار ڪيو ويو آهي،" IVWorks جي سي اي او ينگ-ڪيون نوح چيو. "هي ڪاميابي ظاهر ڪري ٿي ته اسان جو هائبرڊ-ايم بي اي تي ٻڌل reGaN پليٽ فارم نه رڳو پيداوار لاءِ تيار آهي پر ايندڙ نسل جي ذيلي ٽيرا هرٽز ۽ ٽيرا هرٽز GaN اليڪٽرانڪس لاءِ هڪ اهم فعال ٽيڪنالاجي پڻ آهي،" هو وڌيڪ چوي ٿو. "اسان کي فخر آهي ته IVWorks ٽيڪنالاجي دنيا جي معروف تحقيقي سنگ ميل ۾ حصو وٺندي ڏسي."
پوسٽ جو وقت: جولاءِ-06-2026